薄膜鈮酸鋰(LNOI)調制器
薄膜鈮酸鋰(LNOI)是指通過Smart-cut工藝(包括離子注入、轉移鍵合、剝離與拋光等)在硅等異質基底材料上制備得到的厚度在300~900nm的鈮酸鋰單晶層。在LNOI晶圓中制備的電光調制器具有小尺寸、高帶寬、低Vπ、高集成度等明顯優于傳統鈮酸鋰塊狀體材的電光調制器。
我們采用晶圓級半導體制程工藝(光刻、薄膜沉積、薄膜刻蝕等)在4英寸硅基鈮酸鋰薄膜晶圓上制備了數百顆LNOI電光調制器芯片,并對芯片行波電極結構的微波傳輸性能進行了測試(S21和S11曲線,VNA截止頻率14GHz)。
除了納米厚度的薄膜鈮酸鋰晶圓制程工藝,我們也可為客戶提供厚度在5~10μm的鈮酸鋰“厚膜”的集成光學器件產品。